Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQD18N20V2TM
FQD18N20V2TM

FQD18N20V2TM ON Semiconductor

fqd18n20v2jp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD18N20V2TM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQD18N20V2TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FQD18N20V2TM за ціною від 33.12 грн до 116.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : onsemi fqd18n20v2-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ON Semiconductor fqd18n20v2-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+40.68 грн
5000+ 38.18 грн
12500+ 37.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ON Semiconductor fqd18n20v2-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+43.4 грн
5000+ 40.72 грн
12500+ 40.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ONSEMI 2304721.pdf Description: ONSEMI - FQD18N20V2TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+64.89 грн
500+ 43.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : onsemi / Fairchild FQD18N20V2_D-2313614.pdf MOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series
на замовлення 43881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.92 грн
10+ 68.92 грн
100+ 49.5 грн
500+ 44.15 грн
1000+ 38.24 грн
2500+ 35.73 грн
5000+ 34.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ON Semiconductor fqd18n20v2-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
140+86.31 грн
142+ 85.47 грн
183+ 66.18 грн
250+ 63.16 грн
500+ 49.21 грн
1000+ 35.67 грн
Мінімальне замовлення: 140
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ONSEMI FQD18N20V2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
Technology: QFET®
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+87.35 грн
10+ 67.35 грн
19+ 45.62 грн
51+ 42.73 грн
500+ 42 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : onsemi fqd18n20v2-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 4052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.25 грн
10+ 73.36 грн
100+ 57.07 грн
500+ 45.39 грн
1000+ 36.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ON Semiconductor fqd18n20v2-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+98.7 грн
10+ 80.15 грн
25+ 79.37 грн
100+ 59.25 грн
250+ 54.31 грн
500+ 43.86 грн
1000+ 33.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ONSEMI FQD18N20V2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.82 грн
10+ 83.93 грн
19+ 54.75 грн
51+ 51.27 грн
500+ 50.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ONSEMI 2304721.pdf Description: ONSEMI - FQD18N20V2TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+116.98 грн
10+ 88.91 грн
100+ 64.89 грн
500+ 43.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Виробник : ON Semiconductor fqd18n20v2-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній