FQD16N25CTM onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 23800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 32.43 грн |
| 5000+ | 29.03 грн |
| 7500+ | 28.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQD16N25CTM onsemi
Description: ONSEMI - FQD16N25CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.22 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FQD16N25CTM за ціною від 30.91 грн до 117.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQD16N25CTM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs HIGH VOLTAGE |
на замовлення 18017 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQD16N25CTM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD16N25CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.22 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 5558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD16N25CTM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V |
на замовлення 24685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQD16N25CTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FQD16N25CTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FQD16N25CTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FQD16N25CTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 10.1A Power dissipation: 160W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 53.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FQD16N25CTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 10.1A Power dissipation: 160W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 53.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |