Продукція > ONSEMI > FQD13N06LTM
FQD13N06LTM

FQD13N06LTM onsemi

FAIR-S-A0002303555-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.84 грн
5000+ 17.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD13N06LTM onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD13N06LTM за ціною від 17.42 грн до 57.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ONSEMI FQD13N06L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+47.69 грн
12+ 32.3 грн
25+ 29.04 грн
38+ 22.36 грн
104+ 21.2 грн
Мінімальне замовлення: 9
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : onsemi FAIR-S-A0002303555-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 6154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.76 грн
10+ 41.38 грн
100+ 28.65 грн
500+ 22.46 грн
1000+ 19.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : onsemi / Fairchild FQU13N06L_D-2314197.pdf MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 26082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+52.93 грн
10+ 46.64 грн
100+ 27.67 грн
500+ 23.14 грн
1000+ 19.65 грн
2500+ 17.84 грн
5000+ 17.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ONSEMI FQD13N06L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.23 грн
10+ 40.26 грн
25+ 34.85 грн
38+ 26.83 грн
104+ 25.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD13N06LTM FQD13N06LTM Виробник : ON Semiconductor fqu13n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній