FQD11P06TM ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 24979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 51.68 грн |
| 500+ | 40.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQD11P06TM ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FQD11P06TM за ціною від 30.39 грн до 124.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQD11P06TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V |
на замовлення 28460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD11P06TM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 24979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQD11P06TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.95A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.185Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD11P06TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.95A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.185Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1487 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD11P06TM Код товару: 161558 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
FQD11P06TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FQD11P06TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FQD11P06TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FQD11P06TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FQD11P06TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V |
товар відсутній |