![FQB25N33TM FQB25N33TM](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/3111/MFG_IRG4RC10UTRPBF.jpg)
FQB25N33TM Fairchild Semiconductor
![FAIRS25386-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
на замовлення 19100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
201+ | 104.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQB25N33TM Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQB25N33TM за ціною від 58.95 грн до 105.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQB25N33TM | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: Unknown hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: Unknown |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
FQB25N33TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
FQB25N33TM | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
FQB25N33TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товар відсутній |