FQB19N20TM onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 84.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQB19N20TM onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQB19N20TM за ціною від 59.55 грн до 164.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQB19N20TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
на замовлення 2245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQB19N20TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQB19N20TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level |
на замовлення 724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQB19N20TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FQB19N20TM | Виробник : FCS |
02+ |
на замовлення 12774 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
FQB19N20TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FQB19N20TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FQB19N20TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FQB19N20TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FQB19N20TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.3A; Idm: 78A; 140W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 200V Drain current: 12.3A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Gate charge: 40nC Technology: QFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FQB19N20TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.3A; Idm: 78A; 140W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 200V Drain current: 12.3A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Gate charge: 40nC Technology: QFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V |
товар відсутній |