Продукція > ONSEMI > FQB19N20LTM
FQB19N20LTM

FQB19N20LTM onsemi

fqb19n20l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+63.8 грн
1600+ 52.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB19N20LTM onsemi

Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQB19N20LTM за ціною від 46.28 грн до 127.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQB19N20LTM FQB19N20LTM Виробник : ONSEMI FQB19N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 84A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+106.32 грн
5+ 89.29 грн
13+ 68.24 грн
35+ 64.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQB19N20LTM FQB19N20LTM Виробник : onsemi fqb19n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.83 грн
10+ 91.25 грн
100+ 72.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB19N20LTM FQB19N20LTM Виробник : onsemi / Fairchild FQB19N20L_D-2313612.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 31090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.77 грн
10+ 100.98 грн
100+ 69.69 грн
800+ 49.62 грн
2400+ 47.53 грн
4800+ 46.34 грн
9600+ 46.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB19N20LTM FQB19N20LTM Виробник : ONSEMI FQB19N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 84A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.59 грн
5+ 111.27 грн
13+ 81.89 грн
35+ 77.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB19N20LTM FQB19N20LTM Виробник : ON Semiconductor 3674205007470136fqb19n20l.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB19N20LTM FQB19N20LTM Виробник : ON Semiconductor 3674205007470136fqb19n20l.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB19N20LTM FQB19N20LTM Виробник : ON Semiconductor 3674205007470136fqb19n20l.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній