FQAF16N50 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 5.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 8060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 108+ | 196.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQAF16N50 Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 5.65A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PF, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQAF16N50 за ціною від 88.35 грн до 435.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQAF16N50 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 500V N-Channel QFET |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FQAF16N50 | Виробник : Fairchild |
N-MOSFET 500V 11.3A 110W FQAF16N50 Fairchild TFQAF16n50 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
FQAF16N50 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 11.3A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
FQAF16N50 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.15A; 110W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.15A Power dissipation: 110W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
FQAF16N50 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.15A; 110W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.15A Power dissipation: 110W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |