![FQA7N80C-F109 FQA7N80C-F109](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/3125/MFG_2SA1962RTU.jpg)
FQA7N80C-F109 onsemi
на замовлення 18190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
179+ | 118.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQA7N80C-F109 onsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.4A; Idm: 28A; 198W; TO3PN, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 4.4A, Pulsed drain current: 28A, Power dissipation: 198W, Case: TO3PN, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.9Ω, Mounting: THT, Gate charge: 35nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced.
Інші пропозиції FQA7N80C-F109
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQA7N80C-F109 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
FQA7N80C-F109 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
FQA7N80C-F109 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.4A; Idm: 28A; 198W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.4A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 198W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |