на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 498.46 грн |
10+ | 421.14 грн |
25+ | 332.15 грн |
100+ | 305.18 грн |
250+ | 287.43 грн |
450+ | 268.98 грн |
900+ | 241.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQA38N30 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 300V 38.4A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 19.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQA38N30 за ціною від 329.61 грн до 329.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQA38N30 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA38N30 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FQA38N30 | Виробник : FAIRCHILD |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
FQA38N30 | Виробник : FSC | 09+ DIP16 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FQA38N30 | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 71 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
FQA38N30 Код товару: 76066 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||
FQA38N30 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 38.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
||||||
FQA38N30 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 300V 38.4A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 19.2A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |