FQA24N50 ON Semiconductor


FQA24N50_DS.pdf Виробник: ON Semiconductor

на замовлення 15700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQA24N50 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQA24N50

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQA24N50
Код товару: 192723
FQA24N50_DS.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQA24N50 FQA24N50 Виробник : ON Semiconductor fqa24n50-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA24N50 FQA24N50 Виробник : onsemi FQA24N50_DS.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA24N50 FQA24N50 Виробник : onsemi / Fairchild FQA24N50_D-2313642.pdf MOSFETs 500V N-Channel QFET
товар відсутній