FQA170N06 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 170A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9350 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 500.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQA170N06 onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 170A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 85A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQA170N06 за ціною від 410.18 грн до 639.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQA170N06 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V N-Channel QFET |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FQA170N06 |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
FQA170N06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
FQA170N06 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 680A; 375W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Pulsed drain current: 680A Power dissipation: 375W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 5.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 290nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |