FPF2G120BF07ASP onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT MODULE 650V 40A 156W F2
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: F2
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 156 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 7087.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FPF2G120BF07ASP onsemi
Description: IGBT MODULE 650V 40A 156W F2, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Through Hole, Input: Standard, Configuration: 3 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: F2, IGBT Type: Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 156 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA.
Інші пропозиції FPF2G120BF07ASP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FPF2G120BF07ASP | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
IGBT Modules High Power Module |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
| FPF2G120BF07ASP | Виробник : onsemi |
Description: IGBT MODULE 650V 40A 156W F2 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Through Hole Input: Standard Configuration: 3 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: F2 IGBT Type: Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 156 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA |
товар відсутній |