![FP75R12KE3BOSA1 FP75R12KE3BOSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/3/25/8/50/1/165/smn_/manual/product_image_eo3b.jpg_472149771.jpg)
FP75R12KE3BOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 8710.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP75R12KE3BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP75R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 105 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Module, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7, Verlustleistung Pd: 355, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: EconoPIM 3, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 105, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції FP75R12KE3BOSA1 за ціною від 9309.92 грн до 18855.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FP75R12KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 105 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 355 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.3 nF @ 25 V |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FP75R12KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FP75R12KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FP75R12KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FP75R12KE3BOSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 355 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: - Produktpalette: EconoPIM 3 IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 105 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
FP75R12KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |