Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FP25R12W2T4B11BOMA1
FP25R12W2T4B11BOMA1

FP25R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies

Infineon-FP25R12W2T4_B11-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed27bf4a0232 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 39A 175W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 175 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4092.77 грн
15+ 3583.2 грн
30+ 3463.73 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP25R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FP25R12W2T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 39 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 39A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 175W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPIM 2B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 39A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції FP25R12W2T4B11BOMA1 за ціною від 3916 грн до 5669.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FP25R12W2T4B11BOMA1 FP25R12W2T4B11BOMA1 Виробник : INFINEON Infineon-FP25R12W2T4_B11-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed27bf4a0232 Description: INFINEON - FP25R12W2T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 39 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 39A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 175W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPIM 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 39A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4291.26 грн
5+ 4103.63 грн
10+ 3916 грн
FP25R12W2T4B11BOMA1 FP25R12W2T4B11BOMA1 Виробник : Infineon Technologies 1800652012541312ds_fp25r12w2t4_b11_2_1_zh-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0f3.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 39A 175W 23-Pin EASY2B-2 Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+5669.13 грн
5+ 5628.85 грн
10+ 5336.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
FP25R12W2T4B11BOMA1 FP25R12W2T4B11BOMA1 Виробник : Infineon Technologies 1800652012541312ds_fp25r12w2t4_b11_2_1_zh-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0f3.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 39A 175W 23-Pin EASY2B-2 Tray
товар відсутній