FP25R12W1T7B11BPSA1

FP25R12W1T7B11BPSA1 Infineon Technologies


Infineon-FP25R12W1T7_B11-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683d5d2ef56637 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 25A 20MW EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 25A (Typ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V
на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3534.91 грн
24+ 3094.79 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP25R12W1T7B11BPSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 1200V 25A 20MW EASY, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 25A (Typ), NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-EASY1B-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FP25R12W1T7B11BPSA1 за ціною від 2568.82 грн до 4446.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FP25R12W1T7B11BPSA1 FP25R12W1T7B11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FP25R12W1T7_B11_DataSheet_v00_10_DE-3162935.pdf IGBT Modules EASY STANDARD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3556.35 грн
10+ 3445.43 грн
24+ 2769.53 грн
48+ 2692.87 грн
120+ 2593.91 грн
264+ 2593.21 грн
504+ 2568.82 грн
FP25R12W1T7B11BPSA1 FP25R12W1T7B11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-fp25r12w1t7_b11-datasheet-v00_10-en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 23-Pin Tray
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4129.07 грн
10+ 3758.8 грн
FP25R12W1T7B11BPSA1 FP25R12W1T7B11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-fp25r12w1t7_b11-datasheet-v00_10-en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 23-Pin Tray
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+4446.69 грн
10+ 4047.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
FP25R12W1T7B11BPSA1 FP25R12W1T7B11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-fp25r12w1t7_b11-datasheet-v00_10-en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 23-Pin Tray
товар відсутній
FP25R12W1T7B11BPSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES FP25R12W1T7_B11.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 25A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Case: AG-EASY1B-2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Technology: EasyPIM™ 1B
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FP25R12W1T7B11BPSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES FP25R12W1T7_B11.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 25A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Case: AG-EASY1B-2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Technology: EasyPIM™ 1B
Mechanical mounting: screw
товар відсутній