FP15R12W1T4B3BOMA1

FP15R12W1T4B3BOMA1 Infineon Technologies


Infineon-FP15R12W1T4_B3-DS-v02_03-en_de.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113ceb43f0102ad Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 28A 130W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 130 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 890 pF @ 25 V
на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2992.87 грн
24+ 2567.48 грн
48+ 2414.56 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP15R12W1T4B3BOMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FP15R12W1T4B3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 15 A, 1.85 V, 130 W, 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 15A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 130W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPIM, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 15A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FP15R12W1T4B3BOMA1 за ціною від 2342.64 грн до 4827.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FP15R12W1T4B3BOMA1 FP15R12W1T4B3BOMA1 Виробник : INFINEON 1926740.pdf Description: INFINEON - FP15R12W1T4B3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 15 A, 1.85 V, 130 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 15A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 130W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPIM
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 15A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3168.61 грн
5+ 2867.62 грн
10+ 2566.63 грн
50+ 2342.64 грн
FP15R12W1T4B3BOMA1 FP15R12W1T4B3BOMA1 Виробник : Infineon Technologies ds_fp15r12w1t4_b3_2_1.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 28A 130W 20-Pin EASY1B-1 Tray
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+4827.32 грн
5+ 4508.92 грн
10+ 4395.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
FP15R12W1T4B3BOMA1 FP15R12W1T4B3BOMA1 Виробник : Infineon Technologies ds_fp15r12w1t4_b3_2_1.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 28A 130W 20-Pin EASY1B-1 Tray
товар відсутній
FP15R12W1T4B3BOMA1 FP15R12W1T4B3BOMA1 Виробник : Infineon Technologies ds_fp15r12w1t4_b3_2_1.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 28A 130W 20-Pin EASY1B-1 Tray
товар відсутній
FP15R12W1T4B3BOMA1 FP15R12W1T4B3BOMA1 Виробник : Infineon Technologies ds_fp15r12w1t4_b3_2_1.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 28A 130000mW 20-Pin EASY1B-1 Tray
товар відсутній
FP15R12W1T4B3BOMA1 FP15R12W1T4B3BOMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FP15R12W1T4_B3-DS-v02_03-en_de.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113ceb43f0102ad IGBT Modules LOW POWER EASY
товар відсутній