на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3311.16 грн |
10+ | 3066.64 грн |
24+ | 2444.54 грн |
48+ | 2219.62 грн |
120+ | 2140.9 грн |
504+ | 2140.2 грн |
1008+ | 2126.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP15R12W1T4_B3 Infineon Technologies
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A, Case: AG-EASY1B-1, Semiconductor structure: diode/transistor, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: EasyPIM™ 1B, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 15A, Pulsed collector current: 30A, Gate-emitter voltage: ±20V, Power dissipation: 130W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FP15R12W1T4_B3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FP15R12W1T4-B3 | Виробник : EUPEC | 15A/1200V/PIM |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
FP15R12W1T4_B3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A Case: AG-EASY1B-1 Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EasyPIM™ 1B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 130W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
FP15R12W1T4_B3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A Case: AG-EASY1B-1 Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EasyPIM™ 1B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 130W |
товар відсутній |