Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FP150R07N3E4B11BOSA1
FP150R07N3E4B11BOSA1

FP150R07N3E4B11BOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FP150R07N3E4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043324cae8c013262b79b393962 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 150A 430W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 430 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V
на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+12390.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP150R07N3E4B11BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 650V 150A 430W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 430 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FP150R07N3E4B11BOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FP150R07N3E4B11BOSA1 FP150R07N3E4B11BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 183ds_fp150r07n3e4_b11_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601.pdf Trench and Field Stop IGBT Module
товар відсутній
FP150R07N3E4B11BOSA1 FP150R07N3E4B11BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 183ds_fp150r07n3e4_b11_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601.pdf Trans IGBT Module N-CH 650V 150A 430W 43-Pin ECONO3-3 Tray
товар відсутній
FP150R07N3E4B11BOSA1 FP150R07N3E4B11BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FP150R07N3E4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043324cae8c013262b79b393962 Description: IGBT MOD 650V 150A 430W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 430 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V
товар відсутній