FP100R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies
![Infineon-FP100R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161a6b3faf1e18](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 11032.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FP100R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 515 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FP100R12KT4B11BOSA1 за ціною від 12890.09 грн до 12890.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FP100R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 515 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
FP100R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||
FP100R12KT4B11BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; 515W Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Power dissipation: 515W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoPIM™ 3 Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: AG-ECONO3-3 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
![]() |
FP100R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
FP100R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||
FP100R12KT4B11BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; 515W Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Power dissipation: 515W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoPIM™ 3 Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: AG-ECONO3-3 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V |
товар відсутній |