на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FMMT723TA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - FMMT723TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 625 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FMMT723TA за ціною від 10.3 грн до 41.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FMMT723TA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT PNP 100V 1A 806mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FMMT723TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 806mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FMMT723TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 806mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 765000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FMMT723TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 100V 1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 150mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 760990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FMMT723TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 625mW; SOT23 Kind of package: reel; tape Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Mounting: SMD Case: SOT23 Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 300...475 Collector current: 1A |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FMMT723TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 625mW; SOT23 Kind of package: reel; tape Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Mounting: SMD Case: SOT23 Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 300...475 Collector current: 1A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FMMT723TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT723TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 625 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FMMT723TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 100V 1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 150mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 762254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FMMT723TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP SuperSOT |
на замовлення 16923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FMMT723TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT723TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 625 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| FMMT723TA | Виробник : DIODES/ZETEX |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 806mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R FMMT723TA DIODES TFMMT723TA Diodes кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 420 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
FMMT723TA Код товару: 107741 |
Транзистори > ВЧ |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
|
|
FMMT723TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 806mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FMMT723TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 806mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |