![FMM50-025TF FMM50-025TF](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/66/65/D0/00/0/874086_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=11776c0c671df4daad1680b76017c26085b8902f)
FMM50-025TF IXYS
![DS100040A-(FMM50-025TF).pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 250V; 30A; Idm: 130A
Polarisation: unipolar
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
Semiconductor structure: double series
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 125W
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 130A
Mounting: THT
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1141.42 грн |
3+ | 1001.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FMM50-025TF IXYS
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 250V; 30A; Idm: 130A, Polarisation: unipolar, Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a, Semiconductor structure: double series, Reverse recovery time: 84ns, Drain-source voltage: 250V, Drain current: 30A, On-state resistance: 60mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 125W, Kind of package: tube, Gate charge: 78nC, Technology: HiPerFET™; Trench, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 130A, Mounting: THT, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FMM50-025TF за ціною від 1248.41 грн до 1369.7 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FMM50-025TF | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 250V; 30A; Idm: 130A Polarisation: unipolar Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a Semiconductor structure: double series Reverse recovery time: 84ns Drain-source voltage: 250V Drain current: 30A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 125W Kind of package: tube Gate charge: 78nC Technology: HiPerFET™; Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 130A Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
FMM50-025TF | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 Mounting Type: Through Hole Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 125W Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ |
товар відсутній |
||||||||
![]() |
FMM50-025TF | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |