на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1783.58 грн |
| 10+ | 1621.39 грн |
| 25+ | 1279.2 грн |
| 100+ | 1188.13 грн |
| 500+ | 1112.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FMM150-0075X2F IXYS
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchT2™; unipolar; 75V; 120A; Idm: 500A, Type of transistor: N-MOSFET x2, Technology: TrenchT2™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 75V, Drain current: 120A, Pulsed drain current: 500A, Power dissipation: 170W, Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 5.8mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 178nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Semiconductor structure: double series, Reverse recovery time: 66ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FMM150-0075X2F за ціною від 1368.47 грн до 1804.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FMM150-0075X2F | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET 2N-CH 75V 120A I4-PAC-5 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FMM150-0075X2F | Виробник : IXYS |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchT2™; unipolar; 75V; 120A; Idm: 500A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchT2™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 170W Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 178nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: double series Reverse recovery time: 66ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
 |
FMM150-0075X2F | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 5-Pin(5+Tab) ISOPLUS I4-PAK |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
FMM150-0075X2F | Виробник : IXYS |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchT2™; unipolar; 75V; 120A; Idm: 500A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchT2™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 170W Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 178nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: double series Reverse recovery time: 66ns |
товар відсутній |