![FMD15-06KC5 FMD15-06KC5](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/5E/8E/90/00/0/649445_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=92628447225b06e0211c52fbe629b2527c2edb61)
FMD15-06KC5 IXYS
![FMD15-06KC5.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolar; 600V; 15A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 40nC
Technology: HiPerDynFRED
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Topology: boost chopper
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 954.57 грн |
3+ | 837.75 грн |
25+ | 805.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FMD15-06KC5 IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC, Packaging: Tube, Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA, Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FMD15-06KC5 за ціною від 966.97 грн до 1281.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FMD15-06KC5 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolar; 600V; 15A Mounting: THT Features of semiconductor devices: super junction coolmos Gate charge: 40nC Technology: HiPerDynFRED Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Topology: boost chopper Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A On-state resistance: 0.165Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
FMD15-06KC5 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FMD15-06KC5 Код товару: 139204 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||
![]() |
FMD15-06KC5 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
FMD15-06KC5 | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |