![FMBM5551 FMBM5551](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5858/488%7EMKT-MA06A%7E%7E6.jpg)
FMBM5551 onsemi
![fmbm5551-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SSOT-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 8.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FMBM5551 onsemi
Description: ONSEMI - FMBM5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 600 mA, 700 mW, tariffCode: 85413000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 700mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA.
Інші пропозиції FMBM5551 за ціною від 7.26 грн до 21.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FMBM5551 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FMBM5551 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85413000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 700mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA |
на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FMBM5551 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 81395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FMBM5551 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
на замовлення 41233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FMBM5551 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85413000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 700mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA |
на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FMBM5551 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
FMBM5551 | Виробник : FAIRCHIL |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FMBM5551 | Виробник : Fairchild |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
FMBM5551 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FMBM5551 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
FMBM5551 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.7W; TSOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.7W Case: TSOT23 Current gain: 30...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FMBM5551 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.7W; TSOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.7W Case: TSOT23 Current gain: 30...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz |
товар відсутній |