![FJP13007H2TU FJP13007H2TU](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4848/261_TO-220-3.jpg)
FJP13007H2TU onsemi
![fjp13007-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 113.83 грн |
50+ | 88.1 грн |
100+ | 72.49 грн |
500+ | 57.56 грн |
1000+ | 48.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJP13007H2TU onsemi
Description: ONSEMI - FJP13007H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 26hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FJP13007, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FJP13007H2TU за ціною від 50.32 грн до 148.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FJP13007H2TU | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 5...60 Collector current: 8A Type of transistor: NPN |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FJP13007H2TU | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 344 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FJP13007H2TU | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 26hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FJP13007 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FJP13007H2TU | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 5...60 Collector current: 8A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 129 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FJP13007H2TU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FJP13007H2TU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |