Продукція > ONSEMI > FJI5603DTU
FJI5603DTU

FJI5603DTU ONSEMI

fji5603d-d.pdf Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 100W; I2PAK
Mounting: THT
Case: I2PAK
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Current gain: 6...46
Frequency: 5MHz
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 800V
Power dissipation: 100W
Polarisation: bipolar
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.91 грн
10+ 88.57 грн
12+ 72.86 грн
31+ 68.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FJI5603DTU ONSEMI

Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V, Frequency - Transition: 5MHz, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V, Power - Max: 100 W.

Інші пропозиції FJI5603DTU за ціною від 50.46 грн до 142.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FJI5603DTU FJI5603DTU Виробник : onsemi fji5603d-d.pdf Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.9 грн
50+ 97.36 грн
100+ 80.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
FJI5603DTU FJI5603DTU Виробник : onsemi / Fairchild FJI5603D_D-2313593.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.97 грн
10+ 111.4 грн
100+ 75.96 грн
500+ 64.6 грн
1000+ 52.06 грн
5000+ 50.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
FJI5603DTU FJI5603DTU Виробник : ONSEMI fji5603d-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 100W; I2PAK
Mounting: THT
Case: I2PAK
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Current gain: 6...46
Frequency: 5MHz
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 800V
Power dissipation: 100W
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+142.6 грн
3+ 125.75 грн
10+ 106.28 грн
12+ 87.44 грн
31+ 82.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
FJI5603DTU FJI5603DTU Виробник : ON Semiconductor fji5603d-d.pdf Trans GP BJT NPN 800V 3A 100000mW 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній