![FJD5304DTF FJD5304DTF](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3DPAK05-40.jpg)
FJD5304DTF ONSEMI
![fjd5304d-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - FJD5304DTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 28.61 грн |
500+ | 18.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJD5304DTF ONSEMI
Description: ONSEMI - FJD5304DTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FJD5304DTF за ціною від 17.71 грн до 79.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FJD5304DTF | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Supplier Device Package: TO-252AA Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 30 W |
на замовлення 1037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FJD5304DTF | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FJD5304DTF | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 5684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FJD5304DTF | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
FJD5304DTF | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 1.25W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 400V Power dissipation: 1.25W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 8...40 Collector current: 4A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
FJD5304DTF | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Supplier Device Package: TO-252AA Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 30 W |
товар відсутній |
|||||||||||||
FJD5304DTF | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 1.25W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 400V Power dissipation: 1.25W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 8...40 Collector current: 4A |
товар відсутній |