![FJB102TM FJB102TM](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO263D2PAK05-40.jpg)
FJB102TM ONSEMI
![690919.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - HF-Transistor: TO-263AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 54.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJB102TM ONSEMI
Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 80W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - HF-Transistor: TO-263AB, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FJB102TM за ціною від 32.19 грн до 99.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FJB102TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 6392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FJB102TM | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 80 W |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FJB102TM | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 80W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-263AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FJB102TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
FJB102TM Код товару: 171831 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
FJB102TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FJB102TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FJB102TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FJB102TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FJB102TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FJB102TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FJB102TM | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; D2PAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 80W Case: D2PAK Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FJB102TM | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 80 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FJB102TM | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; D2PAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 80W Case: D2PAK Mounting: SMD |
товар відсутній |