FJA4310OTU ON Semiconductor
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 132.53 грн |
| 10+ | 131.26 грн |
| 25+ | 121.63 грн |
| 50+ | 116.06 грн |
| 100+ | 101.8 грн |
| 250+ | 96.77 грн |
| 500+ | 95.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJA4310OTU ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 10A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 100 W.
Інші пропозиції FJA4310OTU за ціною від 97.33 грн до 284.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FJA4310OTU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FJA4310OTU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJA4310OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 100W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false Übergangsfrequenz: 30MHz rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 10A |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FJA4310OTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FJA4310OTU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 10A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 100 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FJA4310OTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
товар відсутній |