Продукція > ONSEMI > FGY100T120RWD
FGY100T120RWD

FGY100T120RWD onsemi

FGY100T120RWD_D-3150205.pdf Виробник: onsemi
IGBT Transistors 1200V, 100A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT in Power TO247-3L Packaging IGBT ? Power, Co-PAK
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+910.63 грн
10+ 791.03 грн
25+ 669.04 грн
50+ 631.4 грн
100+ 594.47 грн
250+ 575.65 грн
450+ 538.71 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGY100T120RWD onsemi

Description: 1200V, 100A TRENCH FIELD STOP VI, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 347 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 80ns/364ns, Switching Energy: 8.13mJ (on), 7.05mJ (off), Test Condition: 600V, 100A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 427 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 1495 W.

Інші пропозиції FGY100T120RWD за ціною від 553.51 грн до 920.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FGY100T120RWD FGY100T120RWD Виробник : ONSEMI FGY100T120RWD-D.PDF Description: ONSEMI - FGY100T120RWD - IGBT, 200 A, 1.43 V, 1.495 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.495kW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop VII Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+920.17 грн
5+ 834.96 грн
10+ 749.74 грн
50+ 657.71 грн
100+ 571.6 грн
250+ 553.51 грн
FGY100T120RWD Виробник : onsemi FGY100T120RWD-D.PDF Description: 1200V, 100A TRENCH FIELD STOP VI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 347 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/364ns
Switching Energy: 8.13mJ (on), 7.05mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 427 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 1495 W
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+830.01 грн
10+ 704.39 грн
100+ 609.24 грн
FGY100T120RWD FGY100T120RWD Виробник : ON Semiconductor fgy100t120rwd-d.pdf 1200V, 100A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT in Power TO247-3L Packaging IGBT Power, Co-PAK
товар відсутній
FGY100T120RWD FGY100T120RWD Виробник : ON Semiconductor fgy100t120rwd-d.pdf 1200V, 100A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT in Power TO247-3L Packaging IGBT Power, Co-PAK
товар відсутній
FGY100T120RWD FGY100T120RWD Виробник : ON Semiconductor fgy100t120rwd-d.pdf 1200V, 100A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT in Power TO247-3L Packaging IGBT Power, Co-PAK
товар відсутній
FGY100T120RWD Виробник : ONSEMI FGY100T120RWD-D.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товар відсутній