![FGB7N60UNDF FGB7N60UNDF](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5972/488%7EMKT-TO263A02%7E%7E2.jpg)
FGB7N60UNDF onsemi
![fgb7n60undf-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT NPT 600V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32.3 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 5.9ns/32.3ns
Switching Energy: 99µJ (on), 104µJ (off)
Test Condition: 400V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 83 W
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 61.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGB7N60UNDF onsemi
Description: IGBT NPT 600V 14A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 32.3 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 7A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 5.9ns/32.3ns, Switching Energy: 99µJ (on), 104µJ (off), Test Condition: 400V, 7A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 18 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 14 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A, Power - Max: 83 W.
Інші пропозиції FGB7N60UNDF за ціною від 77.06 грн до 155.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FGB7N60UNDF | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 32.3 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 5.9ns/32.3ns Switching Energy: 99µJ (on), 104µJ (off) Test Condition: 400V, 7A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 18 nC Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A Power - Max: 83 W |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FGB7N60UNDF | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
![]() |
на замовлення 727 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||
FGB7N60UNDF | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
на замовлення 439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
FGB7N60UNDF | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 439 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
![]() |
FGB7N60UNDF | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 32.3 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 5.9ns/32.3ns Switching Energy: 99µJ (on), 104µJ (off) Test Condition: 400V, 7A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 18 nC Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A Power - Max: 83 W |
товар відсутній |