на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 231.25 грн |
| 10+ | 205.23 грн |
| 120+ | 146.02 грн |
| 510+ | 124.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGAF20S65AQ onsemi
Description: ONSEMI - FGAF20S65AQ - IGBT, 40 A, 1.4 V, 75 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650, Betriebstemperatur, max.: 175, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FGAF20S65AQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FGAF20S65AQ | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FGAF20S65AQ - IGBT, 40 A, 1.4 V, 75 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75 Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
|
| FGAF20S65AQ | Виробник : onsemi | Description: IGBT 650V 20A TO-3PF |
товар відсутній |