![FGA60N65SMD FGA60N65SMD](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/c6d20460783e54d84bba012ed7ac5468a36ed88/to-3pn-3.jpg)
FGA60N65SMD ON Semiconductor
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 412.65 грн |
25+ | 334.97 грн |
30+ | 328.48 грн |
100+ | 278.32 грн |
120+ | 247.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA60N65SMD ON Semiconductor
Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 47 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns, Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 189 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 600 W.
Інші пропозиції FGA60N65SMD за ціною від 193.97 грн до 454.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FGA60N65SMD | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FGA60N65SMD | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGA60N65SMD | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 47 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 189 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 600 W |
на замовлення 339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FGA60N65SMD | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FGA60N65SMD | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
FGA60N65SMD Код товару: 60090 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
![]() |
FGA60N65SMD | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FGA60N65SMD | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FGA60N65SMD | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |