FGA50T65SHD onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/73.6ns
Switching Energy: 1.28mJ (on), 384µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319 W
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 318.89 грн |
| 30+ | 243.51 грн |
| 120+ | 208.72 грн |
| 510+ | 174.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA50T65SHD onsemi
Description: IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/73.6ns, Switching Energy: 1.28mJ (on), 384µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 87 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 319 W.
Інші пропозиції FGA50T65SHD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FGA50T65SHD | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
FGA50T65SHD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 319000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|
 |
FGA50T65SHD | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors IGBT, 650 V, 50 A Field Stop Trench |
товар відсутній |