FGA40T65UQDF ON Semiconductor
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 127.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA40T65UQDF ON Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 89 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/271ns, Switching Energy: 989µJ (on), 310µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 306 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 231 W.
Інші пропозиції FGA40T65UQDF за ціною від 136.93 грн до 142.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FGA40T65UQDF | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FGA40T65UQDF | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 89 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3PN IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 32ns/271ns Switching Energy: 989µJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 306 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 231 W |
на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FGA40T65UQDF | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
IGBT Transistors 650V Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
 |
FGA40T65UQDF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||
 |
FGA40T65UQDF | Виробник : onsemi |
Description: IGBT NPT 650V 80A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 89 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3PN IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 32ns/271ns Switching Energy: 989µJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 306 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 231 W |
товар відсутній |