Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FGA30N65SMD
FGA30N65SMD

FGA30N65SMD onsemi / Fairchild

FGA30N65SMD_D-2313141.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors IGBT, 650V, 30A, Field Stop
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGA30N65SMD onsemi / Fairchild

Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 14ns/102ns, Switching Energy: 716µJ (on), 208µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 87 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 300 W.

Інші пропозиції FGA30N65SMD за ціною від 147.11 грн до 147.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FGA30N65SMD Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS47756-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/102ns
Switching Energy: 716µJ (on), 208µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 8402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
143+147.11 грн
Мінімальне замовлення: 143
FGA30N65SMD Виробник : ON Semiconductor fga30n65smd-d.pdf FAIRS47756-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA30N65SMD FGA30N65SMD Виробник : ON Semiconductor fga30n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FGA30N65SMD FGA30N65SMD Виробник : onsemi fga30n65smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 650V 60A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/102ns
Switching Energy: 716µJ (on), 208µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 300 W
товар відсутній
FGA30N65SMD Виробник : TE Connectivity fga30n65smd-d.pdf FAIRS47756-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TE Connectivity
товар відсутній