Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FGA25N120ANTDTU
FGA25N120ANTDTU

FGA25N120ANTDTU ON Semiconductor

fga25n120antdtu-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
450+137.81 грн
900+ 135.31 грн
9000+ 133.93 грн
Мінімальне замовлення: 450
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGA25N120ANTDTU ON Semiconductor

Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 350 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: NPT and Trench, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns, Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 200 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 312 W.

Інші пропозиції FGA25N120ANTDTU за ціною від 153.9 грн до 267.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FGA25N120ANTDTU FGA25N120ANTDTU Виробник : ONSEMI FGA25N120ANTD.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 125W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+267.37 грн
3+ 223.59 грн
6+ 162.61 грн
15+ 153.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGA25N120ANTDTU FGA25N120ANTDTU Виробник : ON Semiconductor fga25n120antdtu-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
товар відсутній
FGA25N120ANTDTU FGA25N120ANTDTU Виробник : ON Semiconductor fga25n120antdtu-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
товар відсутній
FGA25N120ANTDTU FGA25N120ANTDTU Виробник : ON Semiconductor fga25n120antdtu-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
товар відсутній
FGA25N120ANTDTU FGA25N120ANTDTU Виробник : ONSEMI FAIRS46109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FGA25N120ANTDTU - IGBT, 25 A, 2.5 V, 312 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5
DC-Kollektorstrom: 25
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 312
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FGA25N120ANTDTU FGA25N120ANTDTU Виробник : onsemi fga25n120antdtu-d.pdf Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns
Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 312 W
товар відсутній
FGA25N120ANTDTU FGA25N120ANTDTU Виробник : onsemi / Fairchild FGA25N120ANTDTU_D-1286409.pdf IGBT Transistors Copak Discrete
товар відсутній