на замовлення 800 шт:
термін постачання 1131-1140 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 293.52 грн |
10+ | 242.84 грн |
25+ | 199.32 грн |
100+ | 171.44 грн |
250+ | 161.68 грн |
450+ | 151.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA25N120ANTDTU-F109 onsemi / Fairchild
Description: IGBT 1200V 50A 312W TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 350 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: NPT and Trench, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns, Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 200 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 312 W.
Інші пропозиції FGA25N120ANTDTU-F109
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FGA25N120ANTDTU-F109 | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
FGA25N120ANTDTU-F109 | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
||
FGA25N120ANTDTU-F109 | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
||
FGA25N120ANTDTU-F109 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGA25N120ANTDTU-F109 - IGBT, NPT-Trench, 50 A, 2.65 V, 312 W, 1.2 kV, TO-3PN, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.65 DC-Kollektorstrom: 50 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-3PN Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 312 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
||
FGA25N120ANTDTU-F109 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 1200V 50A 312W TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 350 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: NPT and Trench Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 200 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 312 W |
товар відсутній |