на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 164.24 грн |
10+ | 145.86 грн |
25+ | 119.87 грн |
100+ | 101.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA15S125P onsemi / Fairchild
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.72V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench, Gate Charge: 129 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 136 W.
Інші пропозиції FGA15S125P
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FGA15S125P | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1250V 30A 136000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
||
FGA15S125P | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.72V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Trench Gate Charge: 129 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 136 W |
товар відсутній |
||
FGA15S125P | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH 1250V 30A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.72V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Trench Gate Charge: 129 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 136 W |
товар відсутній |