FFSP08120A onsemi / Fairchild
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 461.82 грн |
| 10+ | 358.25 грн |
| 100+ | 265.52 грн |
| 250+ | 263.43 грн |
| 500+ | 222.32 грн |
| 800+ | 195.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSP08120A onsemi / Fairchild
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO220-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції FFSP08120A за ціною від 224.07 грн до 465.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSP08120A | Виробник : onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO220-2LPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
на замовлення 2328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FFSP08120A | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
FFSP08120A | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |