Продукція > ONSEMI > FFSM2065B
FFSM2065B

FFSM2065B onsemi

ffsm2065b-d.pdf Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 23.4A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+370.15 грн
10+ 299.75 грн
100+ 242.45 грн
500+ 202.25 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSM2065B onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 23.4A, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSM2065B за ціною від 216.74 грн до 467.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FFSM2065B FFSM2065B Виробник : onsemi FFSM2065B_D-2313053.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC SBD GEN1.5 650V 20A PQFM88
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+467.51 грн
10+ 395.11 грн
100+ 286.43 грн
250+ 280.16 грн
500+ 252.98 грн
1000+ 227.19 грн
3000+ 216.74 грн
FFSM2065B FFSM2065B Виробник : onsemi ffsm2065b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 23.4A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товар відсутній