Продукція > ONSEMI > FFSM0665A
FFSM0665A

FFSM0665A onsemi

FFSM0665A_D-2313052.pdf Виробник: onsemi
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A SIC SBD
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+225.22 грн
10+ 188.34 грн
100+ 134.5 грн
250+ 131.02 грн
500+ 126.14 грн
1000+ 108.02 грн
3000+ 101.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSM0665A onsemi

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSM0665A за ціною від 106.53 грн до 227.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FFSM0665A FFSM0665A Виробник : onsemi ffsm0665a-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+227.67 грн
10+ 184.32 грн
100+ 149.15 грн
500+ 124.42 грн
1000+ 106.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
FFSM0665A Виробник : ON Semiconductor ffsm0665a-d.pdf
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FFSM0665A FFSM0665A Виробник : onsemi ffsm0665a-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товар відсутній