![FFSH5065A-F155 FFSH5065A-F155](https://www.mouser.com/images/onsemiconductor/lrg/TO2473LD-340CX_t.jpg)
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 881.36 грн |
10+ | 819.88 грн |
25+ | 665.55 грн |
50+ | 657.19 грн |
100+ | 613.98 грн |
250+ | 606.31 грн |
450+ | 565.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH5065A-F155 onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 2530pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 60A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSH5065A-F155 за ціною від 711.24 грн до 969.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FFSH5065A-F155 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 2530pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 60A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 2803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
FFSH5065A-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |