на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 446.08 грн |
10+ | 383.94 грн |
100+ | 305.74 грн |
250+ | 265.68 грн |
450+ | 264.27 грн |
900+ | 226.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSH1665A onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 23A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSH1665A за ціною від 309.62 грн до 450.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FFSH1665A | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 23A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FFSH1665A | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 181 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |