Продукція > ONSEMI > FFSD10120A
FFSD10120A

FFSD10120A onsemi

ffsd10120a-d.pdf Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+427.45 грн
10+ 345.77 грн
100+ 279.73 грн
500+ 233.35 грн
1000+ 199.81 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSD10120A onsemi

Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz, Supplier Device Package: TO-252AA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції FFSD10120A за ціною від 361.7 грн до 584.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FFSD10120A FFSD10120A Виробник : onsemi / Fairchild FFSD10120A_D-1808727.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+584.59 грн
10+ 517.74 грн
25+ 441.15 грн
100+ 361.7 грн
FFSD10120A Виробник : ON Semiconductor ffsd10120a-d.pdf
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FFSD10120A FFSD10120A Виробник : onsemi ffsd10120a-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товар відсутній