Продукція > ONSEMI > FFSD0665B
FFSD0665B

FFSD0665B onsemi

FFSD0665B_D-2313239.pdf Виробник: onsemi
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A SIC SBD GEN1.5
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.94 грн
10+ 82.55 грн
100+ 71.09 грн
1000+ 60.07 грн
2500+ 57.01 грн
5000+ 55.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSD0665B onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 9.1A, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSD0665B за ціною від 58.87 грн до 206.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FFSD0665B FFSD0665B Виробник : onsemi ffsd0665b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.2 грн
10+ 109.84 грн
100+ 87.37 грн
500+ 69.38 грн
1000+ 58.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
FFSD0665B FFSD0665B Виробник : onsemi ffsd0665b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.56 грн
10+ 167.33 грн
100+ 135.38 грн
500+ 112.93 грн
1000+ 96.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
FFSD0665B Виробник : ON Semiconductor ffsd0665b-d.pdf
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FFSD0665B FFSD0665B Виробник : onsemi ffsd0665b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 9.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9.1A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товар відсутній