FFSB3065B ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSB3065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 73 A, 74 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85419000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 74nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 73A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 383.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSB3065B ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSB3065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 73 A, 74 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85419000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 74nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 73A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FFSB3065B за ціною від 251.59 грн до 543.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSB3065B | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 73A D2PAK-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 73A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FFSB3065B | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSB3065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 73 A, 74 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85419000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 74nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 73A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FFSB3065B | Виробник : onsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A SIC SBD GEN1.5 |
на замовлення 4155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FFSB3065B | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
FFSB3065B | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 73A D2PAK-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 73A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
товар відсутній |