на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 173.02 грн |
| 10+ | 149.53 грн |
| 100+ | 113.16 грн |
| 500+ | 111.05 грн |
| 800+ | 94.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSB1065B onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 27A D2PAK-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 27A, Supplier Device Package: D²PAK-2 (TO-263-2), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSB1065B за ціною від 194.42 грн до 274.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSB1065B | Виробник : onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 27A D2PAK-2Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 27A Supplier Device Package: D²PAK-2 (TO-263-2) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FFSB1065B | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 655 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
 |
FFSB1065B | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
FFSB1065B | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 27A D2PAK-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 27A Supplier Device Package: D²PAK-2 (TO-263-2) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
товар відсутній |