FF800R12KE7HPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 17925.64 грн |
| 10+ | 16209.4 грн |
| 20+ | 13800.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF800R12KE7HPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF800R12KE7HPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 800 A, 1.75 V, 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 800A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Schraubanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FF800R12KE7HPSA1 за ціною від 13935.12 грн до 26469.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF800R12KE7HPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MEDIUM POWER 62MM AG-62MMHB-711Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 800A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MM IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 122 nF @ 25 V |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF800R12KE7HPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF800R12KE7HPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 800 A, 1.75 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 800A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FF800R12KE7HPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Module Trench Stop |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| FF800R12KE7HPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 800A 7-Pin Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| FF800R12KE7HPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 800A 7-Pin Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| FF800R12KE7HPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 800A 7-Pin Tray |
товар відсутній |